面向 AIDC 800V 高压直流供电架构，芯合 650V/1200V SiC MOSFET、SiC SBD 及功率模块，完整覆盖 AIDC 供电全链路。rn
芯合miniHPD 全碳化硅功率模块，已通过AQG324 严苛车规认证，拓展至 200℃高温耐久验证，输出电流可达 500A 以上，适配 400V/800V 整车高压平台。
芯合 650V‑1200V SiC 二极管、MOSFET 及功率模块，适配光伏逆变器、储能 PCS、直流充电桩、光储充一体机。芯合全系列 SiC SBD、MOSFET 及功率模块，适配 UPS、工业变频器、特种电源、感应加热设备。
芯合650V 等级 SiC SBD、SiC MOSFET 分立器件，为高频开关电源提供高性价比第三代半导体方案。
日前，2026潜在独角兽企业（无锡）发展大会隆重启幕，国内顶尖权威智库长城战略咨询，现场重磅发布《GEI中国潜在独角兽企业研究报告2026》。经过多…
7月1-3日，2026慕尼黑上海电子展在上海新国际博览中心圆满收官。芯合半导体携全自研8英寸碳化硅晶圆重磅参展，完整展出全系列SiC产品，全方位展示…
5月9日下午，安徽省汽车战咨委执行秘书长、安徽省汽车产业创新中心主任任林杰一行莅临芯合半导体（合肥）有限公司参观交流。芯合半导体总经理赵…
4月21日，安徽省工业和信息化厅二级巡视员王国武、电子信息处处长宫纯文一行赴芯合半导体（合肥）有限公司考察调研。公司副总经理李庆庆、研发…
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