芯合半导体召开产品发布会 | 厚积薄发，产品性能达国际领先水平

2024年7月25日，芯合半导体有限公司在国家信息技术应用创新展示中心举办产品发布会，正式发布企业自主研发生产的SiC SBD、SiC MOSFET两个系列的多款碳化硅功率芯片产品，这是企业发展历程中的重要里程碑。本次发布会特邀30多家功率半导体应用相关企业、碳化硅芯片领域的专家以及投资方汇聚于此，其中不乏大型新能源车企、风光储能上市公司、世界级工业电源龙头国内充电桩模块头部公司等。针对碳化硅芯片的可靠性、成本以及效率等关键问题，与会嘉宾们展开了深入且富有建设性的座谈交流，共同展望碳化硅芯片在未来半导体行业中广阔无垠的应用前景，达成多项合作意愿。

赵清总经理在开场致辞中表示，碳化硅作为半导体领域的一款新型材料，因新环境下提出的多元需求，在其卓越性能和优秀品质的基础上，从设计到应用开发的各个环节均面临着前所未有的挑战。在近期中央委员会召开的第三次全体会议之后，结合中国的独特能源结构，碳化硅的产业发展获得了充分肯定。

赵清总经理还表示，我们是一支专业的从事碳化硅功率器件设计制造的老兵团队，这支队伍可以回溯到8年前，经历了碳化硅晶圆制造从4寸到6寸的变迁过程，积累了丰富的经验和教训。“我对芯合半导体满怀信心，在国产化应用的浪潮中为大家提供更具价值的服务，并衷心期望能与各界携手，共同将碳化硅事业推向更为辉煌的高峰。”他邀请公司总工程师王敬，对本次发布的产品进行了详尽的介绍。

王敬对已经完成研发的SiC MOSFET 1200V13mΩ\17mΩ\28mΩ\40mΩ\80mΩ及SBD系列产品进行发布宣讲。他指出，芯合半导体专注于功率半导体的产品设计、生产制造和销售，在本次芯片产品发布中，无论是从阈值电压、导通电阻、产品良率，还是产品的高温性能来看，均已达到国际领先水准。他特别强调了对发布产品从静态到动态的全方位测试，通过极为严苛的测试条件，有力地保障了新产品的高可靠性。此外，公司完善的信息化建设和严格的品控标准也获得了参会嘉宾的一致认可。

在发布会热烈的氛围中，嘉宾们围绕碳化硅功率芯片展开了深入交流。从芯片的性能参数、应用场景到未来趋势，各方进行了充分而细致的探讨。大家介绍了各自公司的业务进展，并对芯合半导体公司在碳化硅芯片领域的合作前景表达了热切期待。随着了解的逐步深入，不少嘉宾现场索要新发布产品的样品带回测试，就此开启了合作的新篇章。