近日，PCIM Asia Shenzhen 2026 在深圳国际会展中心圆满落下帷幕。芯合半导体携全系列功率半导体核心产品亮相，集中展示了公司在高压功率器件、车载功率模块及8英寸晶圆制造方面的技术积累与量产实力，与行业客户、产业链伙伴展开深度的商务洽谈与技术研讨。 -1700V/20mΩ MOSFET 晶圆- -2300V/25mΩ MOSFET 晶圆- 本次展会，芯合半导
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7月1-3日，2026慕尼黑上海电子展在上海新国际博览中心圆满收官。芯合半导体携全自研8英寸碳化硅晶圆重磅参展，完整展出全系列SiC产品，全方位展示第三代半导体自主研发实力与规模化量产能力。开展首日，公司再迎关键技术里程碑：自研miniHPD碳化硅功率模块顺利通过AQG324车规认证，具备高端车载量产准入资质，产品性能全面匹配车载严苛可…
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11月19日，由芯合半导体参与制定的《碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管(SiC MOSFETs)阈值电压测试方法》等9项SiC MOSFET测试与可靠性标准正式发布。在第十届国际第三代半导体论坛上，第三代半导体产业技术创新战略联盟发布的这一系列标准，旨在为SiC MOSFET功率器件提供一套科学、合理的测试与评估方法，支撑产品性能提升，推动产业高质量…
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3月27日，全球半导体盛会SEMICON在上海新国际博览中心圆满落幕，芯合半导体精彩亮相，集中展示核心产品与技术成果，与全球行业同仁交流洽谈，共探产业发展新机遇。本次参展，芯合半导体重点展示全系列碳化硅产品，其自主研发的6吋、8吋SiC Wafer、SiC分立器件及SiC Power Module系列，采用第三代碳化硅材料及先进工艺，具备耐高温、耐高压等优…
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PCIM Asia 2025上海国际电力元件、可再生能源管理展览会暨研讨会于9月26日圆满落下帷幕。芯合半导体有限公司首次亮相，展示碳化硅功率半导体产品及创新的应用解决方案，顺利完成此次参展之旅。芯合半导体此次携全系列碳化硅产品亮相，其自主研发生产的6吋SiC Wafer、8吋SiC Wafer、SiC分立器件以及SiC Power Module系列产品采用第三代半导体材料碳…
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